硅通孔技术(Through Silicon Via, TSV)技术是一项高密度封装技术,正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术,被认为是第四代封装技术。
TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充,实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度,减小信号延迟,降低电容/电感,实现芯片间的低功耗,高速通讯,增加宽带和实现器件集成的小型化。
TSV技术的优势
①缩小封装尺寸;
②高频特性出色,减小传输延时、降低噪声;
③降低芯片功耗,据称,TSV可将硅锗芯片的功耗降低大约40%;
④热膨胀可靠性高。
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